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近日，深圳安培龙科技股份有限公司（股票代码：301413）自主研发的《基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统》（专利号：ZL 2025 1 0736419.1）正式获得国家发明专利授权。

—基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统—

本发明涉及芯片制备技术领域，揭露了一种基于SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）的低零漂压力芯片高效制备方法及系统。通过分析现有制备材料对应的材料性能参数，从预设材料库中筛选出现有制备材料对应的协同制备材料；对压力芯片进行有限元仿真处理，得到压力芯片仿真模型，计算压力芯片仿真模型对应的结构挠曲度；配置压力芯片的模拟环境条件，计算压力芯片仿真模型对应的零点漂移离散度；计算出压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数；从协同制备材料和现有制备材料中确定压力芯片对应的高效制备材料，对芯片制备路径进行参数优化，得到低零漂制备路径，执行对压力芯片的制备处理，得到芯片成品。本发明可以提高SOI的低零漂压力芯片的制备效率，应用于机器人、汽车、工业、航空航天等各种需要测量压力和力传感器的领域。

本项发明专利涉及公司自主研发的一种基于SOI的低零漂压力芯片的创新型核心制备技术。安培龙经过多年技术积累，在压力芯片技术上实现了突破性应用，实质性地提升了产品性能。此次专利的取得，标志着公司在核心技术领域迈出重要一步，展现了安培龙扎实的研发实力，对提升企业核心竞争力、促进市场拓展及研发创新等方面都具有重要意义。该项专利取得不仅进一步巩固了公司在压力传感器行业的技术优势，也为后续产品开发提供了可靠的技术支撑。依托此项创新技术，安培龙将继续保持研发投入，深化与产业链各方的务实合作，全面提升产品竞争力。